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?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
FYP1010DN Rev. C
FYP1010DN
June 2007
FYP1010DN
Schottky Barrier Rectifier
? Low forward voltage drop
? High frequency properties and switching speed
? Guard ring for over-voltage protection
Applications
? Switched mode power supply
? Freewheeling diodes
Absolute Maximum Ratings
*
TC=25°C unless otherwise noted
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics (per diode)
* Pulse Test: Pulse Width=300μs, Duty Cycle=2%
Symbol
Parameter
Value
Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage
100
V
VR
Maximum DC Reverse Voltage
100
V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current @ TC
= 135
°C
10
A
IFSM
Non-repetitive Peak Surge Current (per diode)
60Hz Single Half-Sine Wave
100
A
TJ, TSTG
Operating Junction and Storage Temperature
-65 to +150
°C
Symbol
Parameter
Value
Units
RθJC
Maximum Thermal Resistance, Junction to Case (per diode)
2.5
°C/W
Symbol
Parameter
Value
Units
VFM *
Maximum Instantaneous Forward Voltage
IF
= 5A
IF
= 5A
IF
= 10A
IF
= 10A
TC
= 25
°C
TC
= 125
°C
TC
= 25
°C
TC
= 125
°C
0.75
0.65
0.95
0.73
V
IRM *
Maximum Instantaneous Reverse Current
@ rated VR
TC
= 25
°
C
TC
= 125
°C
1
30
mA
3.Anode
1.Anode
2. Cathode
TO220 (None Jedec type)
1
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